Boosting the SOI MOSFET Electrical Performance by Using the Octagonal Layout Style in High Temperature Environment

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Tipo de produção
Artigo
Data
2017
Autores
GALEMBECK, EGON H.S.
RENAUX, CHRISTIAN
FLANDRE, Denis
FINCO, SAULO
GIMENEZ, SALVADOR P.
Orientador
Periódico
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY
Título da Revista
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Citação
GALEMBECK, EGON H.S.; RENAUX, CHRISTIAN; FLANDRE, Denis; FINCO, SAULO; GIMENEZ, SALVADOR P.. Boosting the SOI MOSFET Electrical Performance by Using the Octagonal Layout Style in High Temperature Environment. IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, v. 17, n. 1, p. 1-1, 2017.
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Palavras-chave
Resumo

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