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Title: Estudo experimental da influência das radiações ionizantes de raios-x em MOSFETS com estilo de leiaute de porta octogonal com tecnologia de fabricação de CIS CMOS de silício-germânio de 130nm
Authors: Cruz, William Souza da
Advisor: Gimenez, S. P.,1962-
Issue Date: 2019
Keywords: Radiação ionizante
Porta octogonal - geometria
Publisher: Centro Universitário FEI, São Bernardo do Campo
metadata.dc.identifier.doi: https://doi.org/10.31414/EE.2019.D.130705
URI: https://repositorio.fei.edu.br/handle/FEI/761
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