Minimizing the TID effects due to gamma rays by using diamond layout for MOSFETs
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Tipo de produção
Artigo
Data de publicação
2019
Texto completo (DOI)
Periódico
Journal of Materials Science: Materials in Electronics
Editor
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Autores
SEIXAS, LUIS E.
GONCALVEZ, O. L.
VAZ, R. G.
TELLES, A. C. C.
FINCO, S.
GIMENEZ, S. P.
Orientadores
Resumo
Citação
SEIXAS, LUIS E.; GONCALVEZ, O. L.; VAZ, R. G.; TELLES, A. C. C.; FINCO, S.; GIMENEZ, S. P.. Minimizing the TID effects due to gamma rays by using diamond layout for MOSFETs. Journal of Materials Science: Materials in Electronics, v. 1, n. 1, p. 1-13, 2019.