Boosting the SOI MOSFET Electrical Performance by Using the Octagonal Layout Style in High Temperature Environment
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Tipo de produção
Artigo
Data de publicação
2017
Texto completo (DOI)
Periódico
IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY
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Autores
GALEMBECK, EGON H.S.
RENAUX, CHRISTIAN
FLANDRE, Denis
FINCO, SAULO
GIMENEZ, SALVADOR P.
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Resumo
Citação
GALEMBECK, EGON H.S.; RENAUX, CHRISTIAN; FLANDRE, Denis; FINCO, SAULO; GIMENEZ, SALVADOR P.. Boosting the SOI MOSFET Electrical Performance by Using the Octagonal Layout Style in High Temperature Environment. IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, v. 17, n. 1, p. 1-1, 2017.